西安交通大学电子科学与工程学院李强副教授等人经过剥离-自拼装小尺度单晶hBN纳米片制备2英寸晶圆级接连hBN薄膜，并进行了光电探测器的制备与器材作业机制的研讨，近来该研讨成果宣布在《先进功用资料》上。

  该办法根据hBN特有的二维结构特性，经过液相剥离的办法从块体hBN上剥离出少层的hBN纳米片（BNNSs），经过自拼装工艺将BNNSs拼装成大面积有序薄膜，转移至衬底上进行光电探测器的制备。经过“光诱导结势垒高度下降”这一作业机制解说了BNNS薄膜光电探测器的作业原理，而且经过调控BNNS尺度完成了器材电学特性的调控，使器材具有超低的暗电流，在80 V的电压下仅为0.27 pA。器材对185 nm波长的线Jones，响应速度为20.97 ms/17.69 ms。团队人员经过双肖特基结模型剖析了光照对器材势垒高度和串联电阻的下降作用，为衡量此类器材电学参数光照前后的改变供给了研讨方案。

  与此同时，团队人员建立了自拼装薄膜载流子传输模型，剖析了器材具有超低暗电流的原因。