众所周知，芯片作为现代科技发展史上的智慧结晶，对推动人类文明进步有着举足轻重的作用。而在这方面，美国长期处在领头羊，掌握核心话语权。反观中国，由于近代工业发展起步较晚，芯片基础薄弱，长期以来只能依赖进口，而美国就是这里面最大的受益者。

  也正因如此，美国对于近年来中国芯片行业的进步越发不爽，毕竟这很有一定的概率会导致他们失去领头羊。一向嚣张霸道惯了的美国，又如何能忍受一个发展中国家与自己平起平坐？这显然是不可能的。于是自拜登上台以后，美国对中国高科技产业的围堵封杀越发变本加厉。

  最开始，美国只是对中国芯片企业下手，其第一目标就是华为！为了限制华为，拜登要求使用美国技术的台积电停止生产海思麒麟芯片，让华为失去了与美国本土企业正面竞争的本钱。不得已的华为只能被迫采用高通的4G芯片，为竞争对手的市场占有率添砖加瓦。

  即便如此美国依旧不满足，毕竟中国市场这么大，没了华为还会有别的企业！于是不放心的拜登又出了新的损招，禁止光刻机巨头ASML出售设备给到中国，从源头上断绝我们生产高端芯片的可能。

  此外，为了加强美国在半导体领域内的竞争力，拜登还成立了一个“芯片四方联盟”，将韩国、日本以及中国台湾地区的半导体巨头全部迁移至美国，让他们在当地建厂并且承诺给予520亿美元的高额补贴。可见，为了彻底遏制住中国半导体产业的发展，美国此次可谓是下足了血本。

  只是让拜登没想到是，我们对此早有防备，在明知硅基芯片无法超越美国的情况下，中国企业已经换道超车，在“光芯片”领域走出了关键性的一步。

  日前，据《北京日报》报道：由中科鑫通公司主导的国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线将于明年正式建成投产。据悉，光子芯片摒弃传统的硅片制芯方法，采用的是InP、GaAs等全球新兴半导体材料，其在成本和性能上几乎完胜硅基材料。

  更值得关注的是光子芯片生产制造是以IDM为主要模式，其生产难点在外部设计和制取阶段，对光刻环节的要求反而不高，这直接降低了对高端光刻机的依赖性，弥补了我们当前的劣势。

  很多人可能不知道，截止目前我们国内的半导体企业才初步具备生产14nm制程芯片的能力，而现阶段国际头部企业的制造能力已达到3nm甚至是更精密的程度，不客气的说两者间的差距至少在10年以上。

  而阻碍中国电子芯片发展的根本原因就是缺少顶级光刻机，从原材料制备到芯片电路设计我们都可以独立完成，唯独在光刻阶段缺少关键设备——EUV光刻机，它是制造7nm以下芯片的核心仪器。

  当下EUV光刻机几乎都被荷兰的ASML公司垄断，受美国制裁所累，我们没办法从ASML那里订购到先进的EUV光刻机。换句话说，我们连制造高端硅基芯片的门槛都进不去。

  一边是芯片市场的火热需求，一边是进展缓慢的芯片发展，这种不平衡、不充分的格局促使我们不得已考虑其它的方案，而光子芯片的出现正好解决了这一难题。

  目前光子芯片是一个重要的研发方向，和硅基芯片相比光子芯片不仅响应速度更快，达到传统硅基芯片的1000倍以上，而且耗能更低，信息容量更大。正因为拥有如此多的优势，所以光子芯片也被看作是硅基芯片的替代方向之一。

  而我国在光子芯片领域的研发早已有之，目前已经有了相对成熟的技术，根据预测，明年我国光子芯片就有望迎来新的突破。待这条光芯片产线正式建成，届时不仅能满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域的需求，同时有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白，这是非常令国人振奋的事情。

  当前美国在硅基芯片时代统领全球，将中国视为随意打压的存在。然而任何技术都会有被取代的一天，哪怕是硅基芯片也没办法避免。因此我国现在落后不代表永远落后，光芯片就是我们实现逆袭的一大机会！所以相信再过几年，中国在光芯片制造领域一定会传来好消息，届时所有问题都会迎刃而解！