从响应速度来讲，光芯片计算速度是传统电子芯片的1000倍，而且功耗更低，从材料方面来讲，InP和GaAS第二代化合物半导体是光芯片常用的材料，而传统的芯片一般都会采用硅片作为原材料，光芯片侧重点在于外延设计与制备环节，相对电子芯片，光芯片对结构的要求较低，目前光芯片在我国很成熟的原材料以及设备就能生产。

  技术优势：专注于10G、25G、40G、100G高速光通信模块及其检测系统的研发与制造，全力打造高端光通讯模块设计与制造公司，目前自主开发的高速光通讯模块产品已成功进入国内外核心客户，公司高端光模块产品在国内同行业中属于靠前水平。

  相关概念：公司现在存在的VCSEL光芯片项目，主要使用在于智能终端、无人驾驶等领域。

  技术优势：陆续研发推出了多款高传输率、高稳定性和高可塑性闪存主控芯片，已获授权专利110项，其中发明专利33项，在申请专利100项，拥有集成电路布图设计专有权6项，拥有软件著作权72项。

  相关概念：单位现在有产品中100G、200G、400G等光模块，已实现批量交付并运用，掌握了高速率光器件芯片封装和光器件封装技术。

  技术优势：企业具有专注于光通信行业多年的开发团队，是国内少数批量交付100G光模块、掌握高速率光器件芯片封装和光器件封装的企业。

  技术优势：公司已形成包括超宽谱低损耗光分路器芯片技术、任意分束比1×N光分路器结构设计、石英基及硅基厚膜二氧化硅光波导材料生长技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术、InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术在内的多项核心技术。

  相关概念：公司目前正在研发薄膜铌酸锂等下一代光子材料及光子集成芯片技术。

  技术优势：公司已掌握先进的无源光纤器件设计、模拟和生产技术，其中高功率器件消除热透镜技术、高功率光纤光栅刻写技术，光纤及光学元器件端面处理技术、光纤金属化技术、光纤透镜技术、高精度微光学连接技术等。

  技术优势：公司是国内有能力对光纤放大器和子系统，光无源器件和平面集成光波导器件进行全方位研究开发的高新技术企业，在国内实现了EDFA和喇曼放大器的商用化，在国内率先研制出具有自主知识产权的波导阵列光栅器件，累计申请专利135项，获得授权91项，其中申请国际专利6项，获得4项美国专利授权。

  技术优势：拥有了光芯片集成、高速光器件以及高速光模块的设计和生产能力，掌握了相关核心技术，并持续致力于提高光模块性能、产能提升产品良率和降低生产所带来的成本，为用户更好的提供高速率、智能化、低成本、低功耗的光模块产品。

  相关概念：公司在F5G领域有相关业务布局，其中应用于有线接入网的光模块、光器件以及应用于无线接入网的前传光模块已经规模发货。

  技术优势：在高端磁性元器件、汽车电子、充电桩、新能源光伏发电、储能等领域进行布局，打造新动能，向“数字化”和“新能源”两个领域延展，形成了深度覆盖产业链的多元化产品矩阵，拥有有效专利213项，其中发明专利35项，软件著作权登记9项，拥有注册商标61项。

  光芯片技术部分领域已经在使用，将来能否代替电子芯片，还存在未知因素，如果能代替传统的电子芯片，那么光刻机时代就会结束，到时候半导体将进入大改革时代。返回搜狐，查看更加多